主控芯片、閃存顆粒、生產制造所有的環節均由中國企業完成實現存儲技術全自主化，加速存儲產品國產化進程
規格：M.2 2280接口協議：M.2 PCIe Gen 3*4容量：128GB/256GB/512GB/1TB讀寫速度：讀取速度高達2000MB/s（512GB） 寫入速度高達1700MB/s（512GB）主控方案：MAP1002性能特點：長江存儲64層3D TLC NAND Flash工作電壓：DC 3.3V運行溫度：0℃-70℃存儲溫度：-40℃-85℃環境濕度（不凝結）：5%-95%質保服務：三年
規格：M.2 2280接口協議：M.2 PCIe Gen 3*4容量：128GB/256GB/512GB/1TB/2TB讀寫速度：讀取速度高達2000MB/s （512GB） 寫入速度高達1700MB/s（512GB）主控方案：MAP1002性能特點：LDPC智能糾錯，高速讀寫，安靜運行，3D NAND Flash應用工作電壓：DC 3.3V運行溫度：0℃-70℃存儲溫度：-40℃-85℃環境濕度（不凝結）：5%-95%質保服務：三年